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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，大家真的都放不进脉动瓶口吗，一般进得去脉动瓶口吗影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守(sh大家真的都放不进脉动瓶口吗，一般进得去脉动瓶口吗ǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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