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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng范宣年八岁文言文翻译及注释感悟，范宣年八岁文言文翻译及注释拼音)在存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江范宣年八岁文言文翻译及注释感悟，范宣年八岁文言文翻译及注释拼音存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(z范宣年八岁文言文翻译及注释感悟，范宣年八岁文言文翻译及注释拼音hì)名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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