大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信殖民地和半殖民地区别通俗易懂，中国7个殖民地网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。<殖民地和半殖民地区别通俗易懂，中国7个殖民地/p>

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