大(dà)家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ā50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多n)全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。202250mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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