大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光(homework可数还是不可数名词，homework可数吗？housework 呢guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定homework可数还是不可数名词，homework可数吗？housework 呢性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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