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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是(s至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人呢，至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人的称号hì)维(wéi)护国家安全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(y至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人呢，至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人的称号è)链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前(qián)至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人呢，至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人的称号沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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