大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 S北京市有几个区，北京市有几个区,都叫什么K 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品北京市有几个区，北京市有几个区,都叫什么ong>

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。