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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开放广西属于哪个省份，广西属于哪个省哪个市哪个区，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部(广西属于哪个省份，广西属于哪个省哪个市哪个区bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客广西属于哪个省份，广西属于哪个省哪个市哪个区户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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