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夜游鸟可以吃吗,夜游鸟吃了有什么好处

夜游鸟可以吃吗,夜游鸟吃了有什么好处 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn),对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此,网络安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规,我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。<夜游鸟可以吃吗,夜游鸟吃了有什么好处/strong>

  此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全,是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放,只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求(qiú),欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出(chū)手(shǒu):停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中国网(wǎng)信(xìn)网发文称,为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán),防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》,网(wǎng)络安全审查(chá)办公(夜游鸟可以吃吗,夜游鸟吃了有什么好处gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》,对美(měi)光公(gōng)司(Micron)在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额(é)约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降,至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势,公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券(quàn)商此前就(jiù)分析,如(rú)果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài),2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu),同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单,设(shè)备国产化进程加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司(sī)份(fèn)额(é)提升(shēng),以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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