大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立(lì)国半亩花田护肤品排行榜，半亩花田护肤品属于什么档次内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(y半亩花田护肤品排行榜，半亩花田护肤品属于什么档次óu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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