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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，毁掉一个女人最好的办法名声，毁掉一个渣女最好的方法ng>美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及(jí)存毁掉一个女人最好的办法名声，毁掉一个渣女最好的方法储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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