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　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是清纯的女生干起来舒服吗，清纯的女生是不是很招男生喜欢防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全(quán)问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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