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　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。张镇风现在干嘛呢张镇风现状简介，张镇风现在在干嘛为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求张镇风现在干嘛呢张镇风现状简介，张镇风现在在干嘛，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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