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公元1世纪是哪一年到哪一年,公元1世纪是什么年代

公元1世纪是哪一年到哪一年,公元1世纪是什么年代 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

  美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患,对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规,我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求,欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称,为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险,维(wéi)护国家安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》,网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī),2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gā公元1世纪是哪一年到哪一年,公元1世纪是什么年代o)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游(yó公元1世纪是哪一年到哪一年,公元1世纪是什么年代u)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势,公司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

  有券商此前就分(fēn)析,如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制,或将导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分(fēn)析称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单,设备(bèi)国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增(zēng)长。

 

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