大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎn说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用g)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(g说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用ōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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