大(dà)家(jiā)好，来看一(yī)则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīn三晋大地是什么意思，三晋大地三晋指的是哪儿g)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品三晋大地是什么意思，三晋大地三晋指的是哪儿ng>

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn三晋大地是什么意思，三晋大地三晋指的是哪儿)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。