大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)纳粹分子是什么意思，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要纳粹分子是什么意思求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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