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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōn曹冲称象的故事说明了什么科学道理，曹冲称象这个故事告诉我们什么道理g)司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前(qián曹冲称象的故事说明了什么科学道理，曹冲称象这个故事告诉我们什么道理)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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