大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查已婚男人经常找你聊天是什么意思，一个愿意陪你聊天的已婚男人rong>

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。