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当兵多久回家一次 嫁给当兵12年的人好吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发消息(xī)。

  美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)当兵多久回家一次 嫁给当兵12年的人好吗安全(quán)审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患,对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此,网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

  此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查,目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全,是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称,为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安全(quán),防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn),维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng),至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江(当兵多久回家一次 嫁给当兵12年的人好吗jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē),确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固(gù)公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优势,公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制,或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单,设备国产化进程(chéng)加速,看(kàn)好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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