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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 三字经中苟不教性乃迁是什么意思，苟不教性乃迁的下一句; line-height: 24px;'>三字经中苟不教性乃迁是什么意思，苟不教性乃迁的下一句铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （三字经中苟不教性乃迁是什么意思，苟不教性乃迁的下一句闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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