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第一次见面握手是左手还是右手,与人握手是左手还是右手

第一次见面握手是左手还是右手,与人握手是左手还是右手 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

  据网(wǎng)信办消息(xī),日前,网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

  审查发(fā)现,美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患,对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险,影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此,网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规,我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

  此次(cì)对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查,目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安(ān)全,是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放,只要遵守第一次见面握手是左手还是右手,与人握手是左手还是右手中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称,为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》,网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存(cún))市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

  美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商,采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì),江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优势,公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分(fēn)析,如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì),或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì),国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo),催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国产化(huà)进(jìn)程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜(mó)沉(chén)积)等相关(guān)公(gōng)司份第一次见面握手是左手还是右手,与人握手是左手还是右手(fèn)额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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