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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入中(白面水鸡是几级保护，白面水鸡是保护动物吗zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司白面水鸡是几级保护，白面水鸡是保护动物吗中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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