大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAN9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少D时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程(9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

未经允许不得转载：惠安汇通石材有限公司 9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少