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小学学籍号在线查询官网入口,小学生学籍号自助查询 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

  据(jù)网(wǎng)信办消息(xī),日前,网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

  审查发(fā)现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题隐患,对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险,影响我国国家安全。为此,网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规(guī),我国内关键信息(xī)基础设施小学学籍号在线查询官网入口,小学生学籍号自助查询的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全,是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律法规要求(qiú),欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称,为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全,防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险(xiǎn),维护国家(jiā)安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全法》,网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头(tóu),也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一(yī),2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nè小学学籍号在线查询官网入口,小学生学籍号自助查询i)存)市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

  美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

  公告(gào)显(xiǎn)示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确(què)保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng),巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势,公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì),或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì),国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

  分析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经小学学籍号在线查询官网入口,小学生学籍号自助查询过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo),催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单,设备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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