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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经中国的情报机构是什么机构，中国的情报机构叫啥演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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