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三万日元等于多少人民币多少

三万日元等于多少人民币多少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消(xiāo)息(xī),日(rì)前,网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

  审(shěn)查发现,美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患,对我国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险,影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ),网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品。

  此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全,是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放,只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称(chēng),为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全,防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险,维护国家(jiā)安(ān)全,依据《三万日元等于多少人民币多少中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(sī)(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头,也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中(zhōng三万日元等于多少人民币多少),江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

  美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降,至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显示,江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē),确保存储三万日元等于多少人民币多少(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势,公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì),国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù),薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单,设(shè)备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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