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4开头的是哪个省,4打头身份证是哪里

4开头的是哪个省,4打头身份证是哪里 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查

  据网信办消(xiāo)息(xī),日前(qián),网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患,对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链造成(c4开头的是哪个省,4打头身份证是哪里héng)重大安全风(fēng)险,影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为(wèi)此,网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规,我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全,是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日(rì),中国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全(quán),防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》,网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》,对(duì)美光(guāng)公司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu),也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一,2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

  美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降,至少已经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì),江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng),巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制,或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,4开头的是哪个省,4打头身份证是哪里ng>国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会4开头的是哪个省,4打头身份证是哪里更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75%。自长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单,设备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收(shōu)入增长。

 

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