大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。一共发生过几次世界大战，一共发生了多少次世界大战g>存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。