大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国(国家常务委员7人，国家常务委员7人简历guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升国家常务委员7人，国家常务委员7人简历(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：惠安汇通石材有限公司 国家常务委员7人，国家常务委员7人简历