大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。杨梅是高糖还是低糖，杨梅是高糖还是低糖水果rong>

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76杨梅是高糖还是低糖，杨梅是高糖还是低糖水果％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND 杨梅是高糖还是低糖，杨梅是高糖还是低糖水果Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。