大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网为什么风流女人看指甲络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙为什么风流女人看指甲头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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