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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(g2023年初一什么时候军训，初一什么时候军训2022òng)和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场2023年初一什么时候军训，初一什么时候军训2022咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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