大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shě子不学,非所宜什么意思，子不学,非所宜这句话是什么意思n)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。子不学,非所宜什么意思，子不学,非所宜这句话是什么意思strong>

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。