大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主学生党如何自W，14没有工具怎么自w到高c要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)学生党如何自W，14没有工具怎么自w到高c工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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