大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia新人进拘留所会挨打吗，拘留所新人进去受欺负吗（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美新人进拘留所会挨打吗，拘留所新人进去受欺负吗光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de新人进拘留所会挨打吗，拘留所新人进去受欺负吗)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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