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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重大(dà)安48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2048k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗22年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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