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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎn鳄雀鳝危害有多大，鳄雀鳝的最大克星g)络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销鳄雀鳝危害有多大，鳄雀鳝的最大克星售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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