大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公(gōg跟ml一样吗洗发水，g和ml有区别吗ng)司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

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　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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