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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信世界上女性最开放的是哪个国家网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(lu世界上女性最开放的是哪个国家ò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(世界上女性最开放的是哪个国家qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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