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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波1cc的水等于多少克，1cc水是多少克(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi1cc的水等于多少克，1cc水是多少克)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)1cc的水等于多少克，1cc水是多少克g>

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。