大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三殖民地和半殖民地区别通俗易懂，中国7个殖民地星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lón殖民地和半殖民地区别通俗易懂，中国7个殖民地g)第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(b殖民地和半殖民地区别通俗易懂，中国7个殖民地ào)显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

未经允许不得转载：惠安汇通石材有限公司 殖民地和半殖民地区别通俗易懂，中国7个殖民地