大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目怎样跟情人要钱才不尴尬，怎么问情人要钱的技巧前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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