大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、小明王是谁的后代 小明王是男是女第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中小明王是谁的后代 小明王是男是女(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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