大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(c银耳越黄越好还是越白越好，干银耳为什么越放越黄há)办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场(chǎng)的(d银耳越黄越好还是越白越好，干银耳为什么越放越黄e)供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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