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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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