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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链(lià48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗n)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(r48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗ù)增长。

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