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兔子一年生几窝,兔子一年生几窝,一窝几只 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

  美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据(jù)网(wǎng)信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查(chá)发现,美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患,对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险,影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此,网络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查,目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全,是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng),只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称,为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全,防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风(fēng)险,维护国家安全,依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》,网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中,江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

  美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降,至少已经不是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

  公告显示(shì), 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司在下(xià)游市场的供应优势,公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美(měi)兔子一年生几窝,兔子一年生几窝,一窝几只光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到限制,或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì),国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的(de兔子一年生几窝,兔子一年生几窝,一窝几只)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看好拓(tuò)荆科技(jì)(薄膜沉积(jī))等(děng)相关公司份额提升,以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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