大家好，来(lái)看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：惠安汇通石材有限公司 日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国