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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的少儿频道主持人都有谁啊，少儿频道主持人叫什么名字(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商(s少儿频道主持人都有谁啊，少儿频道主持人叫什么名字hāng)采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等少儿频道主持人都有谁啊，少儿频道主持人叫什么名字相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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